Transistor MOSFET Canal N 13NM60N 600V 13A

Descripcion:

Código: 13NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Especificaciones maximas:

Disipación total del dispositivo Pd: 25 W

Tensión drenaje-fuente vds: 600 V

Tensión compuerta-fuente vgs: 25 V

Corriente continua de drenaje id: 11 A

Temperatura operativa máxima tj: 150 C

Caracteristicas electricas:

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs th: 4 V

Carga de compuerta Qg: 30 nC

Tiempo de elevación tr: 8 nS

Conductancia de drenaje sustrato Cd: 60 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS on: 0.36 Ohm

Empaquetado Estuche: TO220FP

Contenido:

1 x Circuito integrado 13NM60N 13A 600V