Transistor de Potencia Bipolar Toshiba 2SC5570 NPN 28A 800V (TO-3P)

Fabricante: Toshiba

Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)

Polaridad del transistor: NPN

Configuración: Individual

máx. voltaje VCEO colector-emisor: 800 V

Tensión VCBO colector-base: 1,7 kV

Voltaje VEBO emisor-base: 5 V

Corriente CC máxima de colector: 28 A

Dp - Disipación de potencia : 220 W

Producto para ganar Ancho de banda fT: 2 MHz

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Serie: 2SC5570

Marca: Toshiba

Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima: 22 a 2 A, 5 V

Tipo de producto: BJTs - Transistores bipolares

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Subcategoría: Transistores

Incluye:

1 x Transistor de Potencia Bipolar Toshiba 2SC5570 NPN 28A 800V (TO-3P)